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漏（lòu）源电压BV DSS (V)(Min.)：

700

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

380

导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

430

最大漏极电流Id(on)(A)：

11

通道极性：

N沟道

封装/温度（dù）(℃)：

TO-252-2L(DPAK)/-55~125

描述：

700V,430mΩ,11A,N沟（gōu）道基于超级结技术的功（gōng）率（lǜ）MOSFET


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